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AS4C4M32D1A-5BCNTR

AS4C4M32D1A-5BCNTR

Solo per riferimento

Numero parte AS4C4M32D1A-5BCNTR
PNEDA Part # AS4C4M32D1A-5BCNTR
Descrizione IC DRAM 128M PARALLEL 144LFBGA
Produttore Alliance Memory, Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.856
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 15 - mag 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AS4C4M32D1A-5BCNTR Risorse

Brand Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAS4C4M32D1A-5BCNTR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AS4C4M32D1A-5BCNTR, AS4C4M32D1A-5BCNTR Datasheet (Totale pagine: 64, Dimensioni: 2.367,58 KB)
PDFAS4C4M32D1A-5BINTR Datasheet Copertura
AS4C4M32D1A-5BINTR Datasheet Pagina 2 AS4C4M32D1A-5BINTR Datasheet Pagina 3 AS4C4M32D1A-5BINTR Datasheet Pagina 4 AS4C4M32D1A-5BINTR Datasheet Pagina 5 AS4C4M32D1A-5BINTR Datasheet Pagina 6 AS4C4M32D1A-5BINTR Datasheet Pagina 7 AS4C4M32D1A-5BINTR Datasheet Pagina 8 AS4C4M32D1A-5BINTR Datasheet Pagina 9 AS4C4M32D1A-5BINTR Datasheet Pagina 10 AS4C4M32D1A-5BINTR Datasheet Pagina 11

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AS4C4M32D1A-5BCNTR Specifiche

ProduttoreAlliance Memory, Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR
Dimensione della memoria128Mb (4M x 32)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina12ns
Tempo di accesso700ps
Tensione - Alimentazione2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia144-LFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore144-LFBGA (12x12)

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Produttore

Microchip Technology

Serie

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Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

104MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

1.5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-WDFN (5x6)

S98WS512N0GFW0030G

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

M24512-HRMN6TP

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

512Kb (64K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

500ns

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

CY62256LL-70ZRXI

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

MoBL®

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-TSOP I

SST39SF040-55-4C-NHE

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Produttore

Microchip Technology

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20µs

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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