AS4C32M32MD1-5BCNTR
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| Numero parte | AS4C32M32MD1-5BCNTR |
| PNEDA Part # | AS4C32M32MD1-5BCNTR |
| Descrizione | IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA |
| Produttore | Alliance Memory, Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.220 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 14 - giu 19 (Scegli Spedizione rapida) |
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AS4C32M32MD1-5BCNTR Risorse
| Brand | Alliance Memory, Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | AS4C32M32MD1-5BCNTR |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
AS4C32M32MD1-5BCNTR, AS4C32M32MD1-5BCNTR Datasheet
(Totale pagine: 43, Dimensioni: 1.255,09 KB)
  
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AS4C32M32MD1-5BCNTR Specifiche
| Produttore | Alliance Memory, Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR |
| Dimensione della memoria | 1Gb (32M x 32) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 200MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 15ns |
| Tempo di accesso | 5ns |
| Tensione - Alimentazione | 1.7V ~ 1.9V |
| Temperatura di esercizio | -25°C ~ 85°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 90-VFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 90-FBGA (8x13) |
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Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso 450ps Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 84-TWBGA (8x12.5) |
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