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AS4C32M16D1-5BIN

AS4C32M16D1-5BIN

Solo per riferimento

Numero parte AS4C32M16D1-5BIN
PNEDA Part # AS4C32M16D1-5BIN
Descrizione IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA
Produttore Alliance Memory, Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.196
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 26 - mag 31 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AS4C32M16D1-5BIN Risorse

Brand Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAS4C32M16D1-5BIN
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AS4C32M16D1-5BIN, AS4C32M16D1-5BIN Datasheet (Totale pagine: 63, Dimensioni: 1.270,17 KB)
PDFAS4C32M16D1-5BINTR Datasheet Copertura
AS4C32M16D1-5BINTR Datasheet Pagina 2 AS4C32M16D1-5BINTR Datasheet Pagina 3 AS4C32M16D1-5BINTR Datasheet Pagina 4 AS4C32M16D1-5BINTR Datasheet Pagina 5 AS4C32M16D1-5BINTR Datasheet Pagina 6 AS4C32M16D1-5BINTR Datasheet Pagina 7 AS4C32M16D1-5BINTR Datasheet Pagina 8 AS4C32M16D1-5BINTR Datasheet Pagina 9 AS4C32M16D1-5BINTR Datasheet Pagina 10 AS4C32M16D1-5BINTR Datasheet Pagina 11

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AS4C32M16D1-5BIN Specifiche

ProduttoreAlliance Memory, Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR
Dimensione della memoria512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso700ps
Tensione - Alimentazione2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore60-TFBGA (8x13)

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

16Mb (1M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

2.2V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-VFBGA (6x8)

M27C4002-70C6

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EPROM

Tecnologia

EPROM - OTP

Dimensione della memoria

4Mb (256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-PLCC (16.51x16.51)

MT29PZZZ4D4BKEPK-18 W.94H

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

168-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

168-VFBGA (12x12)

MT29F4G08ABAEAH4-IT:E

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

4Gb (512M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

63-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

63-VFBGA (9x11)

BR93G66FJ-3GTE2

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

4Kb (256 x 16)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

3MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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