Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

AS4C32M16D1-5BCN

AS4C32M16D1-5BCN

Solo per riferimento

Numero parte AS4C32M16D1-5BCN
PNEDA Part # AS4C32M16D1-5BCN
Descrizione IC DRAM 512M PARALLEL 60BGA
Produttore Alliance Memory, Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.268
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AS4C32M16D1-5BCN Risorse

Brand Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAS4C32M16D1-5BCN
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AS4C32M16D1-5BCN, AS4C32M16D1-5BCN Datasheet (Totale pagine: 63, Dimensioni: 1.270,17 KB)
PDFAS4C32M16D1-5BINTR Datasheet Copertura
AS4C32M16D1-5BINTR Datasheet Pagina 2 AS4C32M16D1-5BINTR Datasheet Pagina 3 AS4C32M16D1-5BINTR Datasheet Pagina 4 AS4C32M16D1-5BINTR Datasheet Pagina 5 AS4C32M16D1-5BINTR Datasheet Pagina 6 AS4C32M16D1-5BINTR Datasheet Pagina 7 AS4C32M16D1-5BINTR Datasheet Pagina 8 AS4C32M16D1-5BINTR Datasheet Pagina 9 AS4C32M16D1-5BINTR Datasheet Pagina 10 AS4C32M16D1-5BINTR Datasheet Pagina 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • AS4C32M16D1-5BCN Datasheet
  • where to find AS4C32M16D1-5BCN
  • Alliance Memory, Inc.

  • Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D1-5BCN
  • AS4C32M16D1-5BCN PDF Datasheet
  • AS4C32M16D1-5BCN Stock

  • AS4C32M16D1-5BCN Pinout
  • Datasheet AS4C32M16D1-5BCN
  • AS4C32M16D1-5BCN Supplier

  • Alliance Memory, Inc. Distributor
  • AS4C32M16D1-5BCN Price
  • AS4C32M16D1-5BCN Distributor

AS4C32M16D1-5BCN Specifiche

ProduttoreAlliance Memory, Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR
Dimensione della memoria512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso700ps
Tensione - Alimentazione2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore60-BGA

I prodotti a cui potresti essere interessato

23A1024T-I/ST

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

20MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 2.2V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

CY7C1460KV33-250AXI

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

NoBL™

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

36Mb (1M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

250MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

2.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x20)

NP5Q128AE3ESFC0E

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

Omneo™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

PCM (PRAM)

Tecnologia

PCM (PRAM)

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

33MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

350µs

Tempo di accesso

360µs

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-SO W

IS46LR16320C-6BLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR

Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

5.5ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

60-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

60-TFBGA (8x10)

MT42L32M16D1AB-3 WT:A TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR2

Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

333MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

121-WFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

121-FBGA (6.5x8)

Venduto di recente

AD780ARZ

AD780ARZ

Analog Devices

IC VREF SERIES/SHUNT PROG 8SOIC

PIC16F1786-I/SP

PIC16F1786-I/SP

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 14KB FLASH 28SDIP

ADM3202ARN

ADM3202ARN

Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SOIC

MAX3078EESA+T

MAX3078EESA+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SOIC

DS1216C

DS1216C

Maxim Integrated

IC SMART/RAM 5V 64K/256K 28-DIP

BZX84C3V3LT1G

BZX84C3V3LT1G

ON Semiconductor

DIODE ZENER 3.3V 225MW SOT23-3

1N5335BRLG

1N5335BRLG

ON Semiconductor

DIODE ZENER 3.9V 5W AXIAL

BZV55C5V1

BZV55C5V1

Microsemi

DIODE ZENER 5.1V DO213AA

T520B227M006ATE070

T520B227M006ATE070

KEMET

CAP TANT POLY 220UF 6.3V 3528

MAX4168EUB+T

MAX4168EUB+T

Maxim Integrated

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 10UMAX

JS28F128J3F75A

JS28F128J3F75A

Micron Technology Inc.

IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP

ASDXRRX005NDAA5

ASDXRRX005NDAA5

Honeywell Sensing and Productivity Solutions

SENSOR PRESSURE DIFF 5"" H2O 8DIP