AS4C256M16D3LA-12BAN
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| Numero parte | AS4C256M16D3LA-12BAN |
| PNEDA Part # | AS4C256M16D3LA-12BAN |
| Descrizione | IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA |
| Produttore | Alliance Memory, Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.114 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 29 - lug 4 (Scegli Spedizione rapida) |
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AS4C256M16D3LA-12BAN Risorse
| Brand | Alliance Memory, Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | AS4C256M16D3LA-12BAN |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
AS4C256M16D3LA-12BAN, AS4C256M16D3LA-12BAN Datasheet
(Totale pagine: 83, Dimensioni: 2.573,91 KB)
  
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AS4C256M16D3LA-12BAN Specifiche
| Produttore | Alliance Memory, Inc. |
| Serie | Automotive, AEC-Q100 |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - DDR3L |
| Dimensione della memoria | 4Gb (256M x 16) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 800MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 15ns |
| Tempo di accesso | 20ns |
| Tensione - Alimentazione | 1.283V ~ 1.45V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 96-VFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 96-FBGA (9x13) |
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Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NAND Dimensione della memoria 1.125Tb (144G x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.5V ~ 3.6V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore 132-VBGA (12x18) |
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Produttore Micron Technology Inc. Serie * Tipo di memoria - Formato memoria - Tecnologia - Dimensione della memoria - Interfaccia di memoria - Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Dual Port, Synchronous Dimensione della memoria 512Kb (32K x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 6.5ns Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore 100-TQFP (14x14) |
