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AS4C128M8D3L-12BIN

AS4C128M8D3L-12BIN

Solo per riferimento

Numero parte AS4C128M8D3L-12BIN
PNEDA Part # AS4C128M8D3L-12BIN
Descrizione IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA
Produttore Alliance Memory, Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.474
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AS4C128M8D3L-12BIN Risorse

Brand Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAS4C128M8D3L-12BIN
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AS4C128M8D3L-12BIN, AS4C128M8D3L-12BIN Datasheet (Totale pagine: 88, Dimensioni: 3.395,46 KB)
PDFAS4C128M8D3L-12BINTR Datasheet Copertura
AS4C128M8D3L-12BINTR Datasheet Pagina 2 AS4C128M8D3L-12BINTR Datasheet Pagina 3 AS4C128M8D3L-12BINTR Datasheet Pagina 4 AS4C128M8D3L-12BINTR Datasheet Pagina 5 AS4C128M8D3L-12BINTR Datasheet Pagina 6 AS4C128M8D3L-12BINTR Datasheet Pagina 7 AS4C128M8D3L-12BINTR Datasheet Pagina 8 AS4C128M8D3L-12BINTR Datasheet Pagina 9 AS4C128M8D3L-12BINTR Datasheet Pagina 10 AS4C128M8D3L-12BINTR Datasheet Pagina 11

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AS4C128M8D3L-12BIN Specifiche

ProduttoreAlliance Memory, Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria1Gb (128M x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso20ns
Tensione - Alimentazione1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore78-FBGA (8x10.5)

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Micron Technology Inc.

Serie

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Formato memoria

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FLASH - NAND

Dimensione della memoria

2Tb (256G x 8)

Interfaccia di memoria

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Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR4

Dimensione della memoria

12Gb (384M x 32)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

2.133GHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

0.6V, 1.1V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

AT45DB041B-RI

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

4Mb (264 Bytes x 2048 pages)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

20MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

14ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-SOIC

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

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Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QUAD

Dimensione della memoria

72Mb (4M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

300MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

8.4ns

Tensione - Alimentazione

1.71V ~ 1.89V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

35ns

Tempo di accesso

35ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-SOIC

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