APTSM120AM08CT6AG
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| Numero parte | APTSM120AM08CT6AG |
| PNEDA Part # | APTSM120AM08CT6AG |
| Descrizione | POWER MODULE - SIC |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.408 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 13 - mag 18 (Scegli Spedizione rapida) |
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APTSM120AM08CT6AG Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APTSM120AM08CT6AG |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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APTSM120AM08CT6AG Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| Funzione FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 370A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 200A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1360nC @ 20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potenza - Max | 2300W |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | SP6 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP6 |
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.3nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 458pF @ 15V Potenza - Max - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore U-DFN2020-6 (Type B) |
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