APTMC120AM20CT1AG
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| Numero parte | APTMC120AM20CT1AG |
| PNEDA Part # | APTMC120AM20CT1AG |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 1200V 143A SP1 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.732 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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APTMC120AM20CT1AG Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APTMC120AM20CT1AG |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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APTMC120AM20CT1AG Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N Channel (Phase Leg) |
| Funzione FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 143A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 100A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 2mA (Typ) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 360nC @ 20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5960pF @ 1000V |
| Potenza - Max | 600W |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | SP1 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP1 |
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Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1A Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 153pF @ 50V Potenza - Max 700mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore SuperSOT™-6 |
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.9nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1810pF @ 10V Potenza - Max 1.4W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSSOP |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21.7nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 10V Potenza - Max 490mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 6-HUSON-EP (2x2) |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 60V, 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 115mA, 130mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V Potenza - Max 200mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-363 |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo FET 4 N-Channel (H-Bridge) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 28A Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4507pF @ 25V Potenza - Max 277W Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP1 Pacchetto dispositivo fornitore SP1 |
