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APTM50HM65FT3G

APTM50HM65FT3G

Solo per riferimento

Numero parte APTM50HM65FT3G
PNEDA Part # APTM50HM65FT3G
Descrizione MOSFET 4N-CH 500V 51A SP3
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.914
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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APTM50HM65FT3G Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPTM50HM65FT3G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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APTM50HM65FT3G Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo FET4 N-Channel (H-Bridge)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C51A
Rds On (Max) @ Id, Vgs78mOhm @ 25.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs140nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds7000pF @ 25V
Potenza - Max390W
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSP3
Pacchetto dispositivo fornitoreSP3

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Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

68mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 15V

Potenza - Max

1.9W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.8nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

450pF @ 10V

Potenza - Max

710mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

6-WDFN (2x2)

AON6928

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

17A, 30A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1150pF @ 15V

Potenza - Max

3.6W, 4.3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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SI4511DY-T1-GE3

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.2A, 4.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.5mOhm @ 9.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

121mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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