APTM120A20DG
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| Numero parte | APTM120A20DG |
| PNEDA Part # | APTM120A20DG |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.580 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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APTM120A20DG Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APTM120A20DG |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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APTM120A20DG Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 6mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 600nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 15200pF @ 25V |
| Potenza - Max | 1250W |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | SP6 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP6 |
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Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 20Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7pF @ 3V Potenza - Max 200mW (Ta) Temperatura di esercizio 150°C Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore US6 |
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