APTM100A13DG
Solo per riferimento
| Numero parte | APTM100A13DG |
| PNEDA Part # | APTM100A13DG |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.058 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 30 - giu 4 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
APTM100A13DG Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | APTM100A13DG |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- APTM100A13DG Datasheet
- where to find APTM100A13DG
- Microsemi
- Microsemi APTM100A13DG
- APTM100A13DG PDF Datasheet
- APTM100A13DG Stock
- APTM100A13DG Pinout
- Datasheet APTM100A13DG
- APTM100A13DG Supplier
- Microsemi Distributor
- APTM100A13DG Price
- APTM100A13DG Distributor
APTM100A13DG Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 65A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 156mOhm @ 32.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 6mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 562nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 15200pF @ 25V |
| Potenza - Max | 1250W |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | SP6 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP6 |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5A, 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 51mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.9nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 230pF @ 10V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.8A, 4.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 5.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 25V Potenza - Max 2.5W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 2.5A, 4V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.5nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 780pF @ 10V Potenza - Max 450mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP (5.5x6.0) |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.8nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 10V Potenza - Max 990mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-363 |
Produttore Central Semiconductor Corp Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 540mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 540mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.58nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 16V Potenza - Max 350mW Temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-563 |
