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APTGV25H120T3G

APTGV25H120T3G

Solo per riferimento

Numero parte APTGV25H120T3G
PNEDA Part # APTGV25H120T3G
Descrizione IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.704
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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APTGV25H120T3G Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPTGV25H120T3G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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APTGV25H120T3G Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo IGBTNPT, Trench Field Stop
ConfigurazioneFull Bridge Inverter
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)40A
Potenza - Max156W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 25A
Corrente - Taglio collettore (Max)250µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce1.8nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCYes
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSP3
Pacchetto dispositivo fornitoreSP3

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APTGL325DA120D3G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

420A

Potenza - Max

1500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 300A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

18.6nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D-3 Module

Pacchetto dispositivo fornitore

D3

MG06100S-BR1MM

Littelfuse

Produttore

Littelfuse Inc.

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150A

Potenza - Max

625W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 100A (Typ)

Corrente - Taglio collettore (Max)

500µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

5.3nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

S-3 Module

Pacchetto dispositivo fornitore

S3

APTGF200A120D3G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

300A

Potenza - Max

1400W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 200A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

13nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D-3 Module

Pacchetto dispositivo fornitore

D3

FF300R12KT4PHOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

C

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

300A

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 300A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

19nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

VS-ETF150Y65U

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Configurazione

Three Level Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

142A

Potenza - Max

417W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.06V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

6.6nF @ 30V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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