APTGT50H60RT3G
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| Numero parte | APTGT50H60RT3G |
| PNEDA Part # | APTGT50H60RT3G |
| Descrizione | POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.698 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 6 - giu 11 (Scegli Spedizione rapida) |
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APTGT50H60RT3G Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APTGT50H60RT3G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Moduli |
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APTGT50H60RT3G Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Configurazione | Full Bridge Inverter |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 600V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 80A |
| Potenza - Max | 176W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 50A |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 250µA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 3.15nF @ 25V |
| Input | Single Phase Bridge Rectifier |
| Termistore NTC | Yes |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | SP3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP3 |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo IGBT Trench Field Stop Configurazione Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 225A Potenza - Max 480W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 150A Corrente - Taglio collettore (Max) 250µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 9.2nF @ 25V Input Standard Termistore NTC Yes Temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP4 Pacchetto dispositivo fornitore SP4 |
