APTGT200DA120D3G
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| Numero parte | APTGT200DA120D3G |
| PNEDA Part # | APTGT200DA120D3G |
| Descrizione | IGBT 1200V 300A 1050W D3 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.012 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 19 - lug 24 (Scegli Spedizione rapida) |
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APTGT200DA120D3G Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APTGT200DA120D3G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Moduli |
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APTGT200DA120D3G Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Configurazione | Single |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 300A |
| Potenza - Max | 1050W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 200A |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 6mA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 14nF @ 25V |
| Input | Standard |
| Termistore NTC | No |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | D-3 Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D3 |
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Produttore Infineon Technologies Serie * Tipo IGBT - Configurazione - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) - Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Potenza - Max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Corrente - Taglio collettore (Max) - Capacità di ingresso (Cies) @ Vce - Input - Termistore NTC - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
