APTDF200H60G
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| Numero parte | APTDF200H60G |
| PNEDA Part # | APTDF200H60G |
| Descrizione | BRIDGE RECT 1PHASE 600V 270A SP6 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.290 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 14 - mag 19 (Scegli Spedizione rapida) |
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APTDF200H60G Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APTDF200H60G |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori a ponte |
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APTDF200H60G Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Single Phase |
| Tecnologia | Standard |
| Tensione - Picco inverso (Max) | 600V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 270A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 2V @ 200A |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 350µA @ 600V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | SP6 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP6 |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Single Phase Tecnologia Standard Tensione - Picco inverso (Max) 800V Corrente - Media Rettificata (Io) 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 8A Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 800V Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 4-SIP, GBU Pacchetto dispositivo fornitore GBU |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo di diodo Three Phase Tecnologia Standard Tensione - Picco inverso (Max) 1.2kV Corrente - Media Rettificata (Io) 100A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.9V @ 300A Corrente - Perdita inversa @ Vr 300µA @ 1200V Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia M3 Pacchetto dispositivo fornitore M3 |
