APTC80H29T1G
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Numero parte | APTC80H29T1G |
PNEDA Part # | APTC80H29T1G |
Descrizione | MOSFET 4N-CH 800V 15A SP1 |
Produttore | Microsemi |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 2.970 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | mag 28 - giu 2 (Scegli Spedizione rapida) |
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APTC80H29T1G Risorse
Brand | Microsemi |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | APTC80H29T1G |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
Datasheet |
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APTC80H29T1G Specifiche
Produttore | Microsemi Corporation |
Serie | - |
Tipo FET | 4 N-Channel (H-Bridge) |
Funzione FET | Standard |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 7.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2254pF @ 25V |
Potenza - Max | 156W |
Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / Custodia | SP1 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SP1 |
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