APTC60HM70SCTG
Solo per riferimento
| Numero parte | APTC60HM70SCTG |
| PNEDA Part # | APTC60HM70SCTG |
| Descrizione | MOSFET 4N-CH 600V 39A SP4 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.178 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 17 - giu 22 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
APTC60HM70SCTG Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | APTC60HM70SCTG |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- APTC60HM70SCTG Datasheet
- where to find APTC60HM70SCTG
- Microsemi
- Microsemi APTC60HM70SCTG
- APTC60HM70SCTG PDF Datasheet
- APTC60HM70SCTG Stock
- APTC60HM70SCTG Pinout
- Datasheet APTC60HM70SCTG
- APTC60HM70SCTG Supplier
- Microsemi Distributor
- APTC60HM70SCTG Price
- APTC60HM70SCTG Distributor
APTC60HM70SCTG Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | CoolMOS™ |
| Tipo FET | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 39A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 39A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 2.7mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 259nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7000pF @ 25V |
| Potenza - Max | 250W |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | SP4 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP4 |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2675pF @ 25V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7.5A (Ta), 5.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 7.5A, 10V, 42mOhm @ 5.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA, 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 4.5V, 12.2nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 15V, 1200pF @ 15V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.1A, 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 7.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.2nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 25V Potenza - Max 1.25W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.7A, 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 53mOhm @ 4.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 1.13W, 1.2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7.8A, 8.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 21.8mOhm @ 7.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.25V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.9nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 15V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
