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APTC60AM45BC1G

APTC60AM45BC1G

Solo per riferimento

Numero parte APTC60AM45BC1G
PNEDA Part # APTC60AM45BC1G
Descrizione MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.370
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APTC60AM45BC1G Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPTC60AM45BC1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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APTC60AM45BC1G Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
SerieCoolMOS™
Tipo FET3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C49A
Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.9V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs150nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds7200pF @ 25V
Potenza - Max250W
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSP1
Pacchetto dispositivo fornitoreSP1

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Tensione Drain to Source (Vdss)

40V, 200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc), 20A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.2mOhm @ 9.8A, 10V, 60mOhm @ 5A, 10V, 30mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC, 14nC, 30.2nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1474pF, 1450pF, 1302pF @ 20V, 100V

Potenza - Max

48W (Tc), 60W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount, Wettable Flank

Pacchetto / Custodia

Die

Pacchetto dispositivo fornitore

Die

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A, 15.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1535pF @ 15V

Potenza - Max

1.98W, 4.16W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Produttore

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

472pF @ 15V

Potenza - Max

1.8W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

SI4808DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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