APT75GP120B2G
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Numero parte | APT75GP120B2G | ||||||||||||||||||
PNEDA Part # | APT75GP120B2G | ||||||||||||||||||
Descrizione | IGBT 1200V 100A 1042W TMAX | ||||||||||||||||||
Produttore | Microsemi | ||||||||||||||||||
Prezzo unitario |
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Disponibile | 259 | ||||||||||||||||||
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
Consegna stimata | mag 8 - mag 13 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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APT75GP120B2G Risorse
Brand | Microsemi |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | APT75GP120B2G |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
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APT75GP120B2G Specifiche
Produttore | Microsemi Corporation |
Serie | POWER MOS 7® |
Tipo IGBT | PT |
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 100A |
Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 300A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 75A |
Potenza - Max | 1042W |
Switching Energy | 1620µJ (on), 2500µJ (off) |
Tipo di ingresso | Standard |
Gate Charge | 320nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 20ns/163ns |
Condizione di test | 600V, 75A, 5Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / Custodia | TO-247-3 Variant |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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