APT70GR65B2SCD30
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| Numero parte | APT70GR65B2SCD30 |
| PNEDA Part # | APT70GR65B2SCD30 |
| Descrizione | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.806 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 23 - lug 28 (Scegli Spedizione rapida) |
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APT70GR65B2SCD30 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APT70GR65B2SCD30 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
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APT70GR65B2SCD30 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | * |
| Tipo IGBT | NPT |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 650V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 134A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 260A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 70A |
| Potenza - Max | 595W |
| Switching Energy | - |
| Tipo di ingresso | - |
| Gate Charge | 305nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 19ns/170ns |
| Condizione di test | 433V, 70A, 4.3Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | T-MAX™ [B2] |
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Produttore IXYS Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 75A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 40A Potenza - Max 300W Switching Energy 2.5mJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 190nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 55ns/400ns Condizione di test 480V, 40A, 2.7Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247AD (IXSH) |
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