APT60M80L2VRG
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| Numero parte | APT60M80L2VRG |
| PNEDA Part # | APT60M80L2VRG |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.184 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida) |
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APT60M80L2VRG Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APT60M80L2VRG |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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APT60M80L2VRG Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | POWER MOS V® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 65A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 32.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 590nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 13300pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 833W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 264 MAX™ [L2] |
| Pacchetto / Custodia | TO-264-3, TO-264AA |
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