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APT46GA90JD40

APT46GA90JD40

Solo per riferimento

Numero parte APT46GA90JD40
PNEDA Part # APT46GA90JD40
Descrizione IGBT 900V 87A 284W SOT-227
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.986
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APT46GA90JD40 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPT46GA90JD40
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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APT46GA90JD40 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
SeriePOWER MOS 8™
Tipo IGBTPT
ConfigurazioneSingle
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)900V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)87A
Potenza - Max284W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.1V @ 15V, 47A
Corrente - Taglio collettore (Max)350µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce4.17nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitoreISOTOP®

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

IRG7T200CH12B

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

390A

Potenza - Max

1060W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 200A

Corrente - Taglio collettore (Max)

2mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

22.5nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

POWIR® 62 Module

Pacchetto dispositivo fornitore

POWIR® 62

FZ2400R17HP4B2BOSA2

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

4800A

Potenza - Max

13000W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 2400A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

195nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

NXH80B120H2Q0SG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Dual Boost Chopper

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

41A

Potenza - Max

103W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

Corrente - Taglio collettore (Max)

200µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

9.7nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

Tipo IGBT

PT

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Potenza - Max

329W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

525µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

5.7nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

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