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APT40GP60B2DQ2G

APT40GP60B2DQ2G

Solo per riferimento

Numero parte APT40GP60B2DQ2G
PNEDA Part # APT40GP60B2DQ2G
Descrizione IGBT 600V 100A 543W TMAX
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.210
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 24 - mag 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APT40GP60B2DQ2G Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPT40GP60B2DQ2G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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APT40GP60B2DQ2G Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
SeriePOWER MOS 7®
Tipo IGBTPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)160A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 40A
Potenza - Max543W
Switching Energy385µJ (on), 350µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge135nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C20ns/64ns
Condizione di test400V, 40A, 5Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3 Variant
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

11A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

22A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.3V @ 15V, 5A

Potenza - Max

60W

Switching Energy

450µJ (on), 440µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

28nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

23ns/93ns

Condizione di test

960V, 5A, 50Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

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STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 40A

Potenza - Max

468W

Switching Energy

1mJ (on), 1.32mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

158nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

18ns/152ns

Condizione di test

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

23A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

92A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 12A

Potenza - Max

75W

Switching Energy

115µJ (on), 135µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

17ns/60ns

Condizione di test

300V, 12A, 23Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3PF

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

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Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 100A

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

770nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

120ns/890ns

Condizione di test

600V, 100A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

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