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APT36GA60BD15

APT36GA60BD15

Solo per riferimento

Numero parte APT36GA60BD15
PNEDA Part # APT36GA60BD15
Descrizione IGBT 600V 65A 290W TO-247
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.586
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APT36GA60BD15 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPT36GA60BD15
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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APT36GA60BD15 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
SeriePOWER MOS 8™
Tipo IGBTPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)65A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)109A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 20A
Potenza - Max290W
Switching Energy307µJ (on), 254µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge18nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C16ns/122ns
Condizione di test400V, 20A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247 [B]

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo IGBT

Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

Potenza - Max

349W

Switching Energy

920µJ (on), 300µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

180nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

18ns/110ns

Condizione di test

400V, 40A, 6Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

47ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

APT64GA90B

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

900V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

117A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

193A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 38A

Potenza - Max

500W

Switching Energy

1857µJ (on), 2311µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

162nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

18ns/131ns

Condizione di test

600V, 38A, 4.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 [B]

NGB8204NT4G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

430V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

18A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 4V, 15A

Potenza - Max

115W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Logic

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 16A

Potenza - Max

190W

Switching Energy

380µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

33nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

30ns/116ns

Condizione di test

480V, 16A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

30ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

23A

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80A

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Tipo di ingresso

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Gate Charge

33nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

700ns/1.2µs

Condizione di test

480V, 10A, 1kOhm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

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