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APT35GP120J

APT35GP120J

Solo per riferimento

Numero parte APT35GP120J
PNEDA Part # APT35GP120J
Descrizione IGBT 1200V 64A 284W SOT227
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.138
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 26 - mag 31 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APT35GP120J Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPT35GP120J
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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APT35GP120J Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
SeriePOWER MOS 7®
Tipo IGBTPT
ConfigurazioneSingle
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)64A
Potenza - Max284W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.9V @ 15V, 35A
Corrente - Taglio collettore (Max)250µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce3.24nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaISOTOP
Pacchetto dispositivo fornitoreISOTOP®

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

620A

Potenza - Max

2250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 400A

Corrente - Taglio collettore (Max)

3mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

36nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

APTGLQ40H120T1G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Full Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Potenza - Max

250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

2.3nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

SP1

Pacchetto dispositivo fornitore

SP1

APTGT75A120D1G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

110A

Potenza - Max

357W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Corrente - Taglio collettore (Max)

4mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

5345nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D1

Pacchetto dispositivo fornitore

D1

FS10R06VE3BOMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

16A

Potenza - Max

50W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 10A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

550pF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

280A

Potenza - Max

1000W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 200A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

14nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

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