APT25GR120SSCD10
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| Numero parte | APT25GR120SSCD10 |
| PNEDA Part # | APT25GR120SSCD10 |
| Descrizione | IGBT 1200V 75A 521W D3PAK |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.248 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 17 - giu 22 (Scegli Spedizione rapida) |
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APT25GR120SSCD10 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APT25GR120SSCD10 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
APT25GR120SSCD10, APT25GR120SSCD10 Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 1.088,85 KB)
  
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APT25GR120SSCD10 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | NPT |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 75A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 100A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 25A |
| Potenza - Max | 521W |
| Switching Energy | 434µJ (on), 466µJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 203nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 16ns/122ns |
| Condizione di test | 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D3Pak |
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