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APT25GR120B

APT25GR120B

Solo per riferimento

Numero parte APT25GR120B
PNEDA Part # APT25GR120B
Descrizione IGBT 1200V 75A 521W TO247
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 16.584
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APT25GR120B Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPT25GR120B
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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APT25GR120B Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo IGBTNPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)75A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)100A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.2V @ 15V, 25A
Potenza - Max521W
Switching Energy742µJ (on), 427µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge203nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C16ns/122ns
Condizione di test600V, 25A, 4.3Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

IXYS

Serie

XPT™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

2500V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

28A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.5V @ 15V, 12A

Potenza - Max

310W

Switching Energy

3.56mJ (on), 1.7mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

56nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

12ns/167ns

Condizione di test

1250V, 12A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

16ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD

IKD06N60RFAATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

12A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 6A

Potenza - Max

100W

Switching Energy

90µJ (on), 90µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

48nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

8ns/105ns

Condizione di test

400V, 6A, 23Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

48ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO252-3

STGW19NC60WD

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

42A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 12A

Potenza - Max

125W

Switching Energy

81µJ (on), 125µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

53nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

25ns/90ns

Condizione di test

390V, 12A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

31ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

IXBF12N300

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

BIMOSFET™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

3000V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

26A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

98A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 12A

Potenza - Max

125W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

62nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

1.4µs

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

i4-Pac™-5 (3 Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOPLUS i4-PAC™

NGB8206N

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

390V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 4.5V, 20A

Potenza - Max

150W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Logic

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-/5µs

Condizione di test

300V, 9A, 1kOhm, 5V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Venduto di recente

S25FL208K0RMFI041

S25FL208K0RMFI041

Cypress Semiconductor

IC FLASH 8M SPI 76MHZ 8SOIC

MMBT2222AT

MMBT2222AT

ON Semiconductor

TRANS NPN 40V 0.6A SOT523F

WM8962ECSN/R

WM8962ECSN/R

Cirrus Logic Inc.

IC CODEC STER 49WCSP

CD143A-SR70

CD143A-SR70

Bourns

TVS DIODE 7V SOT143

BAS16

BAS16

Panasonic Electronic Components

DIODE GEN PURP 80V 200MA SC59-3

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BCP53-16T1G

ON Semiconductor

TRANS PNP 80V 1.5A SOT-223

ADM3260ARSZ

ADM3260ARSZ

Analog Devices

DGTL ISO 2.5KV 2CH I2C 20SSOP

PMBT3904VS,115

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Nexperia

TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT666

AD8250ARMZ-R7

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IC INST AMP 1 CIRCUIT 10MSOP

LT6656ACDC-2.048#TRMPBF

LT6656ACDC-2.048#TRMPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC VREF SERIES 2.048V 6DFN

C3M0065090D

C3M0065090D

Cree/Wolfspeed

MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3

8121-RC

8121-RC

Bourns

COMMON MODE CHOKE 1MH 20A 2LN TH