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APT25GN120BG

APT25GN120BG

Solo per riferimento

Numero parte APT25GN120BG
PNEDA Part # APT25GN120BG
Descrizione IGBT 1200V 67A 272W TO247
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.920
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 7 - giu 12 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APT25GN120BG Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPT25GN120BG
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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APT25GN120BG Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)67A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)75A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 25A
Potenza - Max272W
Switching Energy2.15µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge155nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C22ns/280ns
Condizione di test800V, 25A, 1Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247 [B]

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 100A

Potenza - Max

750W

Switching Energy

5.4mJ (on), 3.8mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

157nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

84ns/216ns

Condizione di test

400V, 100A, 4.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

62ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

NGTB50N120FL2WAG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 50A

Potenza - Max

536W

Switching Energy

2.15mJ (on), 1.4mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

313nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

28ns/150ns

Condizione di test

600V, 50A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

281ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-4

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-4L

FGH75T65SQDT-F155

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Potenza - Max

375W

Switching Energy

300µJ (on), 70µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

128nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

23ns/120ns

Condizione di test

400V, 18.8A, 4.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

76ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

IRG4RC10UTRL

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

8.5A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

34A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 5A

Potenza - Max

38W

Switching Energy

80µJ (on), 160µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

15nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

19ns/116ns

Condizione di test

480V, 5A, 100Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

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-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

-

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

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