APT11F80B
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Numero parte | APT11F80B |
PNEDA Part # | APT11F80B |
Descrizione | MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 |
Produttore | Microsemi |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 4.086 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT11F80B Risorse
Brand | Microsemi |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | APT11F80B |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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APT11F80B Specifiche
Produttore | Microsemi Corporation |
Serie | POWER MOS 8™ |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2471pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 337W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 [B] |
Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
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