APT100GN60B2G
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| Numero parte | APT100GN60B2G | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | APT100GN60B2G | ||||||||||||||||||
| Descrizione | IGBT 600V 229A 625W TMAX | ||||||||||||||||||
| Produttore | Microsemi | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 42 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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APT100GN60B2G Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APT100GN60B2G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
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APT100GN60B2G Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 600V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 229A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 300A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 100A |
| Potenza - Max | 625W |
| Switching Energy | 4.7mJ (on), 2.675mJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 600nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 31ns/310ns |
| Condizione di test | 400V, 100A, 1Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 Variant |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 50A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 31A Potenza - Max 160W Switching Energy - Tipo di ingresso Standard Gate Charge - Td (acceso / spento) @ 25 ° C - Condizione di test - Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247AC |
