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AOTS40B65H1

AOTS40B65H1

Solo per riferimento

Numero parte AOTS40B65H1
PNEDA Part # AOTS40B65H1
Descrizione IGBT 650V 40A TO220
Produttore Alpha & Omega Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 18.216
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AOTS40B65H1 Risorse

Brand Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAOTS40B65H1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
AOTS40B65H1, AOTS40B65H1 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 449,23 KB)
PDFAOTS40B65H1 Datasheet Copertura
AOTS40B65H1 Datasheet Pagina 2 AOTS40B65H1 Datasheet Pagina 3 AOTS40B65H1 Datasheet Pagina 4 AOTS40B65H1 Datasheet Pagina 5 AOTS40B65H1 Datasheet Pagina 6 AOTS40B65H1 Datasheet Pagina 7

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AOTS40B65H1 Specifiche

ProduttoreAlpha & Omega Semiconductor Inc.
SerieAlpha IGBT™
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)650V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)80A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 40A
Potenza - Max300W
Switching Energy1.27mJ (on), 460µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge63nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C41ns/130ns
Condizione di test400V, 40A, 7.5Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo IGBT

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 20A

Potenza - Max

166W

Switching Energy

770µJ

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

120nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

18ns/199ns

Condizione di test

400V, 20A, 12Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

41ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-3-1

APT50GT120B2RDQ2G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Thunderbolt IGBT®

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

94A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 50A

Potenza - Max

625W

Switching Energy

2330µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

340nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

24ns/230ns

Condizione di test

800V, 50A, 4.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFAST™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

70A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

140A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.3V @ 15V, 35A

Potenza - Max

350W

Switching Energy

3.8mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

170nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

50ns/180ns

Condizione di test

960V, 35A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-264 (IXGK)

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 20A

Potenza - Max

220W

Switching Energy

95µJ (on), 100µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

68nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

20ns/115ns

Condizione di test

390V, 13A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

42ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

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