AOK53S60L
Solo per riferimento
Numero parte | AOK53S60L |
PNEDA Part # | AOK53S60L |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 53A TO247 |
Produttore | Alpha & Omega Semiconductor |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 7.704 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida) |
Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
AOK53S60L Risorse
Brand | Alpha & Omega Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | AOK53S60L |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- AOK53S60L Datasheet
- where to find AOK53S60L
- Alpha & Omega Semiconductor
- Alpha & Omega Semiconductor AOK53S60L
- AOK53S60L PDF Datasheet
- AOK53S60L Stock
- AOK53S60L Pinout
- Datasheet AOK53S60L
- AOK53S60L Supplier
- Alpha & Omega Semiconductor Distributor
- AOK53S60L Price
- AOK53S60L Distributor
AOK53S60L Specifiche
Produttore | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Serie | aMOS™ |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 53A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 26.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3034pF @ 100V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 520W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
I prodotti a cui potresti essere interessato
Toshiba Semiconductor and Storage Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie U-MOSVI Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 60A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 156nC @ 10V Vgs (massimo) +10V, -20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7760pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 100W (Tc) Temperatura di esercizio 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore DPAK+ Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Infineon Technologies Produttore Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Ta), 48A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.7mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.3V @ 14µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1075pF @ 30V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 43W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PG-TDSON-8-1 Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN |
Infineon Technologies Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 5V Vgs (massimo) ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 79W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore D-Pak Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Infineon Technologies Produttore Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 130A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 270µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 93nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7300pF @ 75V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO263-7 Pacchetto / Custodia TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
NXP Produttore NXP USA Inc. Serie TrenchMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 53A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3120pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 138W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB Pacchetto / Custodia TO-220-3 |