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AOE6932

AOE6932

Solo per riferimento

Numero parte AOE6932
PNEDA Part # AOE6932
Descrizione MOSFET 2 N-CH 30V 55A/85A 8DFN
Produttore Alpha & Omega Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.390
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 26 - mag 31 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AOE6932 Risorse

Brand Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAOE6932
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
AOE6932, AOE6932 Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 477,86 KB)
PDFAOE6932 Datasheet Copertura
AOE6932 Datasheet Pagina 2 AOE6932 Datasheet Pagina 3 AOE6932 Datasheet Pagina 4 AOE6932 Datasheet Pagina 5 AOE6932 Datasheet Pagina 6 AOE6932 Datasheet Pagina 7 AOE6932 Datasheet Pagina 8 AOE6932 Datasheet Pagina 9 AOE6932 Datasheet Pagina 10

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AOE6932 Specifiche

ProduttoreAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C55A (Tc), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs5mOhm @ 20A, 10V, 1.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA, 1.9V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 4.5V, 50nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1150pF @ 15V, 4180pF @ 15V
Potenza - Max24W, 52W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-VDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-DFN (5x6)

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Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Tc), 13A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 8A, 10V, 24mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 4.5V, 11nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

646pF @ 15V, 1089pF @ 15V

Potenza - Max

6W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

FDMS8090

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 50V

Potenza - Max

2.2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-MLP (5x6), Power56

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo FET

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

180A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

17-SMD, Gull Wing

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOPLUS-DIL™

BUK9K20-80EX

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

23A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25.5nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3462pF @ 25V

Potenza - Max

68W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-1205, 8-LFPAK56

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.4A, 9.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22.6mOhm @ 6.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.25V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.9nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

580pF @ 15V

Potenza - Max

1.4W, 2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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