AOB11C60L
Solo per riferimento
| Numero parte | AOB11C60L |
| PNEDA Part # | AOB11C60L |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 11A TO263 |
| Produttore | Alpha & Omega Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.210 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 6 - giu 11 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
AOB11C60L Risorse
| Brand | Alpha & Omega Semiconductor |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | AOB11C60L |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- AOB11C60L Datasheet
- where to find AOB11C60L
- Alpha & Omega Semiconductor
- Alpha & Omega Semiconductor AOB11C60L
- AOB11C60L PDF Datasheet
- AOB11C60L Stock
- AOB11C60L Pinout
- Datasheet AOB11C60L
- AOB11C60L Supplier
- Alpha & Omega Semiconductor Distributor
- AOB11C60L Price
- AOB11C60L Distributor
AOB11C60L Specifiche
| Produttore | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 5.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 100V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 278W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 (D²Pak) |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Diodes Incorporated Serie * Tipo FET - Tecnologia - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-223 Pacchetto / Custodia TO-261-4, TO-261AA |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 8.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V Vgs (massimo) ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 1206-8 ChipFET™ Pacchetto / Custodia 8-SMD, Flat Lead |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 38.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2400pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta), 89W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB Pacchetto / Custodia TO-220-3 |
Produttore IXYS Serie HiPerFET™, PolarP2™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 26A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 390mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 197nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 11900pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 780W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-264AA (IXFK) Pacchetto / Custodia TO-264-3, TO-264AA |
Produttore Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 230nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5660pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO263-3-2 Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
