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AO6801A

AO6801A

Solo per riferimento

Numero parte AO6801A
PNEDA Part # AO6801A
Descrizione MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 6TSOP
Produttore Alpha & Omega Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.154
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 18 - mag 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AO6801A Risorse

Brand Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAO6801A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
AO6801A, AO6801A Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 331,08 KB)
PDFAO6801A Datasheet Copertura
AO6801A Datasheet Pagina 2 AO6801A Datasheet Pagina 3 AO6801A Datasheet Pagina 4 AO6801A Datasheet Pagina 5

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AO6801A Specifiche

ProduttoreAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs115mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds315pF @ 15V
Potenza - Max1.15W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-74, SOT-457
Pacchetto dispositivo fornitore6-TSOP

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Sanken

Serie

-

Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

12-SIP

Pacchetto dispositivo fornitore

12-SIP

IRF7328PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

78nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2675pF @ 25V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

IRL6372PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1020pF @ 25V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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Produttore

Trinamic Motion Control GmbH

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel, Common Drain

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.3A, 5.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.2nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 25V

Potenza - Max

2.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 10V

Potenza - Max

2.5W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

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