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AO4606L

AO4606L

Solo per riferimento

Numero parte AO4606L
PNEDA Part # AO4606L
Descrizione MOSFET N-CH 8SOIC
Produttore Alpha & Omega Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.430
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AO4606L Risorse

Brand Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAO4606L
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
AO4606L, AO4606L Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 545,86 KB)
PDFAO4606L Datasheet Copertura
AO4606L Datasheet Pagina 2 AO4606L Datasheet Pagina 3 AO4606L Datasheet Pagina 4 AO4606L Datasheet Pagina 5 AO4606L Datasheet Pagina 6 AO4606L Datasheet Pagina 7 AO4606L Datasheet Pagina 8 AO4606L Datasheet Pagina 9

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  • AO4606L Distributor

AO4606L Specifiche

ProduttoreAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
Tipo FETN and P-Channel Complementary
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds310pF @ 15V
Potenza - Max2W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

500mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.3nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V

Potenza - Max

300mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

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SI4200DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 7.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

415pF @ 13V

Potenza - Max

2.8W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

SI7844DP-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® SO-8 Dual

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Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 15V

Potenza - Max

1.15W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 10V

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