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AO4430

AO4430

Solo per riferimento

Numero parte AO4430
PNEDA Part # AO4430
Descrizione MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
Produttore Alpha & Omega Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.352
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AO4430 Risorse

Brand Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAO4430
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
AO4430, AO4430 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 356,66 KB)
PDFAO4430 Datasheet Copertura
AO4430 Datasheet Pagina 2 AO4430 Datasheet Pagina 3 AO4430 Datasheet Pagina 4 AO4430 Datasheet Pagina 5

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AO4430 Specifiche

ProduttoreAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C18A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.5mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs124nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds7270pF @ 15V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)3W (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

618mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.25V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

380pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

20W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

CPT3

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NVMTS0D7N06CTXG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

60.5A (Ta), 464A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.72mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

152nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

11535pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

5W (Ta), 294.6W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFNW (8.3x8.4)

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

IRF3711L

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

110A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2980pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.1W (Ta), 120W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-262

Pacchetto / Custodia

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

SSM3K361TU,LF

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

69mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.2nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

430pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.8W (Ta)

Temperatura di esercizio

175°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

UFM

Pacchetto / Custodia

3-SMD, Flat Leads

NTK3134NT5G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

750mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

350mOhm @ 890mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±6V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

120pF @ 16V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

310mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Pacchetto / Custodia

SOT-723

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