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AO3419_101

AO3419_101

Solo per riferimento

Numero parte AO3419_101
PNEDA Part # AO3419_101
Descrizione MOSFET P-CH 20V SOT23
Produttore Alpha & Omega Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.410
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 18 - lug 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AO3419_101 Risorse

Brand Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAO3419_101
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
AO3419_101, AO3419_101 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 311,83 KB)
PDFAO3419_101 Datasheet Copertura
AO3419_101 Datasheet Pagina 2 AO3419_101 Datasheet Pagina 3 AO3419_101 Datasheet Pagina 4 AO3419_101 Datasheet Pagina 5

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AO3419_101 Specifiche

ProduttoreAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
Tipo FET-
Tecnologia-
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (massimo)-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto dispositivo fornitore-
Pacchetto / Custodia-

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

75V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.2mOhm @ 73A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.8V @ 70µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3840pF @ 37.5V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

136W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-3

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

NTD3055L104-1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

104mOhm @ 6A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 5V

Vgs (massimo)

±15V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

440pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.5W (Ta), 48W (Tj)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

I-PAK

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.4nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

220pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.6W (Ta)

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TLM621H

Pacchetto / Custodia

6-XFDFN Exposed Pad

STS14N3LLH5

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ V

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

14A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±22V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.7W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Serie

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Tipo FET

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Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.3A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 2.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 9.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50.6nC @ 8V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2426pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

680mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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