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AIHD10N60RFATMA1

AIHD10N60RFATMA1

Solo per riferimento

Numero parte AIHD10N60RFATMA1
PNEDA Part # AIHD10N60RFATMA1
Descrizione IC DISCRETE 600V TO252-3
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.238
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 17 - lug 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AIHD10N60RFATMA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAIHD10N60RFATMA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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AIHD10N60RFATMA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)20A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)30A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 10A
Potenza - Max150W
Switching Energy190µJ (on), 160µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge64nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C12ns/168ns
Condizione di test400V, 10A, 26Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO252-3-313

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Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 60A

Potenza - Max

300W

Switching Energy

8mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

130nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

50ns/300ns

Condizione di test

480V, 60A, 2.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-268

STGW40N120KD

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.85V @ 15V, 30A

Potenza - Max

240W

Switching Energy

3.7mJ (on), 5.7mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

126nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

48ns/338ns

Condizione di test

960V, 30A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

84ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

IRG4BC30FD-SPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

31A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

124A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 17A

Potenza - Max

100W

Switching Energy

630µJ (on), 1.39mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

51nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

42ns/230ns

Condizione di test

480V, 17A, 23Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

42ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

IRG4BC20MDPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

18A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

36A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 11A

Potenza - Max

60W

Switching Energy

410µJ (on), 2.03mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

39nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

21ns/463ns

Condizione di test

480V, 11A, 50Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

37ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

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Corrente - Collettore (Ic) (Max)

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Gate Charge

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Td (acceso / spento) @ 25 ° C

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Condizione di test

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Tempo di recupero inverso (trr)

112ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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