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AIHD03N60RFATMA1

AIHD03N60RFATMA1

Solo per riferimento

Numero parte AIHD03N60RFATMA1
PNEDA Part # AIHD03N60RFATMA1
Descrizione IC DISCRETE 600V TO252-3
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.208
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AIHD03N60RFATMA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAIHD03N60RFATMA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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AIHD03N60RFATMA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)5A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)7.5A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 2.5A
Potenza - Max53.6W
Switching Energy50µJ (on), 40µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge17.1nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C10ns/128ns
Condizione di test400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO252-3-313

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Produttore

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Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 25A

Potenza - Max

521W

Switching Energy

742µJ (on), 427µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

203nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

16ns/122ns

Condizione di test

600V, 25A, 4.3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247

IXGH25N100

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1000V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 25A

Potenza - Max

200W

Switching Energy

5mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

130nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

100ns/500ns

Condizione di test

800V, 25A, 33Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD (IXGH)

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

134A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

280A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 70A

Potenza - Max

595W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

305nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

18ns/170ns

Condizione di test

433V, 70A, 4.3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

T-MAX™ [B2]

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

9.4A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

19A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 4A

Potenza - Max

50W

Switching Energy

131µJ

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

24nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

22ns/237ns

Condizione di test

400V, 4A, 67Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO252-3

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Produttore

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

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Td (acceso / spento) @ 25 ° C

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