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ADP3629ARZ-R7

ADP3629ARZ-R7

Solo per riferimento

Numero parte ADP3629ARZ-R7
PNEDA Part # ADP3629ARZ-R7
Descrizione IC MOSFET DVR 2A DL HS 8SOIC
Produttore Analog Devices
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 102.048
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 14 - giu 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ADP3629ARZ-R7 Risorse

Brand Analog Devices
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteADP3629ARZ-R7
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
ADP3629ARZ-R7, ADP3629ARZ-R7 Datasheet (Totale pagine: 16, Dimensioni: 361,98 KB)
PDFADP3629ARMZ-R7 Datasheet Copertura
ADP3629ARMZ-R7 Datasheet Pagina 2 ADP3629ARMZ-R7 Datasheet Pagina 3 ADP3629ARMZ-R7 Datasheet Pagina 4 ADP3629ARMZ-R7 Datasheet Pagina 5 ADP3629ARMZ-R7 Datasheet Pagina 6 ADP3629ARMZ-R7 Datasheet Pagina 7 ADP3629ARMZ-R7 Datasheet Pagina 8 ADP3629ARMZ-R7 Datasheet Pagina 9 ADP3629ARMZ-R7 Datasheet Pagina 10 ADP3629ARMZ-R7 Datasheet Pagina 11

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ADP3629ARZ-R7 Specifiche

ProduttoreAnalog Devices Inc.
Serie-
Configurazione guidataLow-Side
Tipo di canaleIndependent
Numero di driver2
Tipo di portaN-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione9.5V ~ 18V
Tensione logica - VIL, VIH0.8V, 2V
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)2A, 2A
Tipo di ingressoInverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Tempo di salita / discesa (tipico)10ns, 10ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Produttore

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Tipo di canale

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Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

5V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.5V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

200mA, 350mA

Tipo di ingresso

-

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

130ns, 50ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

EiceDriver™

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.3V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

4A, 4A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

6.4ns, 5.4ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Produttore

Serie

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Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

9V ~ 14V

Tensione logica - VIL, VIH

2.3V, -

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2A, 2A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

118V

Tempo di salita / discesa (tipico)

570ns, 430ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

LM27222M

Texas Instruments

Produttore

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4V ~ 6.85V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

3A, 4.5A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

33V

Tempo di salita / discesa (tipico)

17ns, 12ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

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Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

4

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10.8V ~ 13.2V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.25A, 2A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

36V

Tempo di salita / discesa (tipico)

26ns, 18ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

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