A2G35S200-01SR3
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| Numero parte | A2G35S200-01SR3 |
| PNEDA Part # | A2G35S200-01SR3 |
| Descrizione | AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR |
| Produttore | NXP |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.580 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 11 - mag 16 (Scegli Spedizione rapida) |
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A2G35S200-01SR3 Risorse
| Brand | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | A2G35S200-01SR3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - RF |
| Datasheet |
A2G35S200-01SR3, A2G35S200-01SR3 Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 339,16 KB)
  
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A2G35S200-01SR3 Specifiche
| Produttore | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | LDMOS |
| Frequenza | 3.4GHz ~ 3.6GHz |
| Guadagno | 16.1dB |
| Tensione - Test | 48V |
| Corrente nominale (Amp) | - |
| Figura di rumore | - |
| Corrente - Test | 291mA |
| Potenza - Uscita | 180W |
| Tensione - Nominale | 125V |
| Pacchetto / Custodia | NI-400S-2S |
| Pacchetto dispositivo fornitore | NI-400S-2S |
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