70V3579S6DR
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| Numero parte | 70V3579S6DR |
| PNEDA Part # | 70V3579S6DR |
| Descrizione | IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP |
| Produttore | IDT, Integrated Device Technology |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.948 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 17 - giu 22 (Scegli Spedizione rapida) |
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70V3579S6DR Risorse
| Brand | IDT, Integrated Device Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 70V3579S6DR |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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70V3579S6DR Specifiche
| Produttore | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | SRAM |
| Tecnologia | SRAM - Dual Port, Synchronous |
| Dimensione della memoria | 1.125Mb (32K x 36) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | 6ns |
| Tensione - Alimentazione | 3.15V ~ 3.45V |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 208-BFQFP |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 208-PQFP (28x28) |
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Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria 1Mb (64K x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso 15ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 44-TSOP II |
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