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6MS30017E43W40372NOSA1

6MS30017E43W40372NOSA1

Solo per riferimento

Numero parte 6MS30017E43W40372NOSA1
PNEDA Part # 6MS30017E43W40372NOSA1
Descrizione MODULE IGBT STACK A-MS3-1
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.750
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 14 - giu 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

6MS30017E43W40372NOSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte6MS30017E43W40372NOSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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  • 6MS30017E43W40372NOSA1 Distributor

6MS30017E43W40372NOSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieModSTACK™ HD
Tipo IGBT-
ConfigurazioneThree Phase Inverter
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1700V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)1800A
Potenza - Max29140W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic-
Corrente - Taglio collettore (Max)-
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce-
InputStandard
Termistore NTCYes
Temperatura di esercizio-25°C ~ 55°C
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreModule

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

170A

Potenza - Max

520W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.42V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

50µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

6.15nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

SP4

FD1000R17IE4DB2BOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

PrimePACK™3

Tipo IGBT

-

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1390A

Potenza - Max

6250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 1000A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

81nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

FD1200R17KE3KB2NOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

VS-GB100TP120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200A

Potenza - Max

650W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

7.43nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

INT-A-Pak

Pacchetto dispositivo fornitore

INT-A-PAK

FZ600R17KE4HOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1200A

Potenza - Max

3350W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 600A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

49nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

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