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6A10B-G

6A10B-G

Solo per riferimento

Numero parte 6A10B-G
PNEDA Part # 6A10B-G
Descrizione DIODE GEN PURP 1KV 6A R6
Produttore Comchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.988
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 31 - giu 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

6A10B-G Risorse

Brand Comchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte6A10B-G
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli

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6A10B-G Specifiche

ProduttoreComchip Technology
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)1000V
Corrente - Media Rettificata (Io)6A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1V @ 6A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr10µA @ 1000V
Capacità @ Vr, F100pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaR6, Axial
Pacchetto dispositivo fornitoreR-6
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 125°C

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Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.15V @ 2A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

20pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AA, SMB

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AA (SMB)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

HERA801G C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

65pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AC

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

RS2DHE3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1.5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

150ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

20pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AA, SMB

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AA (SMB)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

IDP08E65D2XKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

650V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

2.3V @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

40ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

40µA @ 650V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-2

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 175°C

SS2H9-M3/52T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

90V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

790mV @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AA, SMB

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AA (SMB)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

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