66112
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| Numero parte | 66112 |
| PNEDA Part # | 66112 |
| Descrizione | RF POWER TRANSISTOR |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.038 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 17 - lug 22 (Scegli Spedizione rapida) |
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66112 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 66112 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - RF |
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66112 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | - |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | - |
| Frequenza - Transizione | - |
| Figura di rumore (dB Typ @ f) | - |
| Guadagno | - |
| Potenza - Max | - |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo di transistor - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) - Frequenza - Transizione - Figura di rumore (dB Typ @ f) - Guadagno - Potenza - Max - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce - Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore NXP USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di transistor NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 12V Frequenza - Transizione 11GHz Figura di rumore (dB Typ @ f) 0.6dB @ 900MHz Guadagno 18dB Potenza - Max 450mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 15mA, 8V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 50mA Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-323-3 |
Produttore CEL Serie - Tipo di transistor NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 12V Frequenza - Transizione 4.5GHz Figura di rumore (dB Typ @ f) 1.4dB ~ 2.5dB @ 1GHz Guadagno - Potenza - Max 125mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 7mA, 3V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-623F Pacchetto dispositivo fornitore 3-SuperMiniMold (M03) |
Produttore Broadcom Limited Serie - Tipo di transistor NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 5.5V Frequenza - Transizione - Figura di rumore (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz Guadagno 11dB ~ 13dB Potenza - Max 150mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 1mA, 2.7V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 16mA Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-253-4, TO-253AA Pacchetto dispositivo fornitore SOT-143 |
Produttore NXP USA Inc. Serie - Tipo di transistor NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 2.8V Frequenza - Transizione 43GHz Figura di rumore (dB Typ @ f) 0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz Guadagno - Potenza - Max 136mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 1mA, 2V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 10mA Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-343F Pacchetto dispositivo fornitore 4-DFP |
