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2SK4099LS

2SK4099LS

Solo per riferimento

Numero parte 2SK4099LS
PNEDA Part # 2SK4099LS
Descrizione MOSFET N-CH 600V 8.5A TO-220FI
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.390
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 12 - mag 17 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2SK4099LS Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2SK4099LS
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
2SK4099LS, 2SK4099LS Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 251,94 KB)
PDF2SK4099LS-1E Datasheet Copertura
2SK4099LS-1E Datasheet Pagina 2 2SK4099LS-1E Datasheet Pagina 3 2SK4099LS-1E Datasheet Pagina 4 2SK4099LS-1E Datasheet Pagina 5 2SK4099LS-1E Datasheet Pagina 6 2SK4099LS-1E Datasheet Pagina 7

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2SK4099LS Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6.9A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs940mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds750pF @ 30V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)2W (Ta), 35W (Tc)
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220FI(LS)
Pacchetto / CustodiaTO-220-3 Full Pack

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Pacchetto / Custodia

-

FDME430NT

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

760pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.1W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

MicroFet 1.6x1.6 Thin

Pacchetto / Custodia

6-PowerUFDFN

CPH6347-TL-W

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

39mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.5nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

860pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.6W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

6-CPH

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

2SK4125-1EX

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

17A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

610mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

46nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 170W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3P-3L

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

PSMN1R6-30BL,118

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.9mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.15V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

212nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

12493pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

306W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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