2SK2035(T5L,F,T)
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| Numero parte | 2SK2035(T5L,F,T) |
| PNEDA Part # | 2SK2035-T5L-F-T |
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 0.1A SSM |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.502 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 11 - giu 16 (Scegli Spedizione rapida) |
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2SK2035(T5L Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 2SK2035(T5L,F,T) |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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2SK2035(T5L Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100mA (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12Ohm @ 10mA, 2.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (massimo) | 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8.5pF @ 3V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 100mW (Ta) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SSM |
| Pacchetto / Custodia | SC-75, SOT-416 |
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Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto dispositivo fornitore - Pacchetto / Custodia - |
Produttore Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.6mOhm @ 68A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 180µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3400pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO220-3-1 Pacchetto / Custodia TO-220-3 |
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