2SK1119(F)
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| Numero parte | 2SK1119(F) |
| PNEDA Part # | 2SK1119-F |
| Descrizione | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.462 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida) |
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2SK1119(F) Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 2SK1119(F) |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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2SK1119(F) Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 1000V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8Ohm @ 2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 100W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
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