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2SJ438(CANO,A,Q)

2SJ438(CANO,A,Q)

Solo per riferimento

Numero parte 2SJ438(CANO,A,Q)
PNEDA Part # 2SJ438-CANO-A-Q
Descrizione MOSFET P-CH
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.622
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Consegna stimata mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida)
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2SJ438(CANO Risorse

Brand Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2SJ438(CANO,A,Q)
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
2SJ438(CANO, 2SJ438(CANO Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 410,33 KB)
PDF2SJ438 Datasheet Copertura
2SJ438 Datasheet Pagina 2 2SJ438 Datasheet Pagina 3 2SJ438 Datasheet Pagina 4 2SJ438 Datasheet Pagina 5 2SJ438 Datasheet Pagina 6

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  • 2SJ438(CANO,A,Q) Distributor

2SJ438(CANO Specifiche

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
Serie*
Tipo FET-
Tecnologia-
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (massimo)-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220NIS
Pacchetto / CustodiaTO-220-3 Full Pack

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

3000V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

400mA (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190Ohm @ 200mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

283pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

104W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247HV

Pacchetto / Custodia

TO-247-3 Variant

JAN2N7224U

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/592

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

34A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

81mOhm @ 34A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

125nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

4W (Ta), 150W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-267AB

Pacchetto / Custodia

TO-267AB

HUFA75337S3S

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

UltraFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

75A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

109nC @ 20V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1775pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

175W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D²PAK (TO-263AB)

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

C3M0120100K

Cree/Wolfspeed

Produttore

Cree/Wolfspeed

Serie

C3M™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

SiCFET (Silicon Carbide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1000V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

22A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

15V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

155mOhm @ 15A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 3mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21.5nC @ 15V

Vgs (massimo)

±15V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 600V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

83W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-4L

Pacchetto / Custodia

TO-247-4

VN2410L-G-P014

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

240V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

190mA (Tj)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

125pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Venduto di recente

MCIMX6G1CVM05AA

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NXP

IC MPU I.MC6UL 528MHZ 289BGA

FQA140N10

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ON Semiconductor

MOSFET N-CH 100V 140A TO-3P

MIC5332-SSYMT-TR

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Microchip Technology

IC REG LINEAR 3.3V/3.3V 8TMLF

3224W-1-203E

3224W-1-203E

Bourns

TRIMMER 20K OHM 0.25W J LEAD TOP

CNY17F-2

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Everlight Electronics Co Ltd

OPTOISOLTR 5KV TRANSISTOR 6-DIP

744314150

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Wurth Electronics

FIXED IND 1.5UH 13A 4.3 MOHM SMD

L7805ABV

L7805ABV

STMicroelectronics

IC REG LINEAR 5V 1.5A TO220AB

MMBT2222

MMBT2222

ON Semiconductor

TRANS NPN 30V 0.6A SOT-23

W25Q64FVSSIG

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Winbond Electronics

IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIC

TL074ID

TL074ID

STMicroelectronics

IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 14SO

74HCT14D

74HCT14D

Toshiba Semiconductor and Storage

IC INVERTER SCHMITT 6CH 14SOIC

ADA4805-2ARMZ-R7

ADA4805-2ARMZ-R7

Analog Devices

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8MSOP